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AOS代理资讯:AOS FET工作原理

发表时间:2022-05-14 14:57

       目前,消费类电子电源适配器产品在市场应用中排名第一。AOS代理据悉,MOS管的第二个应用领域是计算机主板、Nb、计算机适配器、LCD显示器等产品。随着我国国情的发展,MOS管对计算机主板、计算机适配器和LCD显示屏的需求量超过了消费电子电源适配器。第三个领域是网络通信、工业控制、汽车电子和电力设备。这些产品对MOS管也有很大的需求。特别是现在,汽车电子对AOS‍代理的需求正赶上消费电子的需求。

FET的特性:

(1)FET是一种电压控制器件,通过VG(栅源电压)。

(2)FET的控制输入电流非常小,所以它的输入电阻(107~1012Ω)非常大(3)它使用大多数载流子导电,所以它的温度稳定性很好。

(4)由它组成的放大电路的电压放大系数小于由三极管组成的放大电路的电压放大系数。

(5)FET的辐射电阻很强。

(6)由于没有无序运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声很低。


       总之,FET的工作原理是“流经漏源极间沟道的ID,用于控制由栅极和沟道间的PN结形成的反向偏置栅极电压”。更准确地说,流经沟道的ID宽度,即沟道横截面积,由PN结反向偏置的变化控制,从而导致耗尽层膨胀的变化。在VGS=0的非饱和区域,过渡层的膨胀不是很大。根据VDS加在漏极和源极之间的电场,源极区域中的一些电子被漏极拉走,即有电流从漏极流向源极。从栅极延伸到漏极的过渡层将通道的一部分形成阻塞型,ID饱和。这种状态称为掐断。这意味着过渡层阻塞了通道的一部分,而不是切断电流,因为过渡层中没有电子和空穴的自由运动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,并且电流通常很难流动。然而,此时,漏极和源极之间的电场实际上是两个过渡层在漏极和栅极下部附近接触,被漂移电场拉走的高速电子通过过渡层。ID的饱和是因为漂移电场的强度几乎是恒定的。其次,VGS变为负方向,让VGS=VGS(off),过渡层大致覆盖整个区域。此外,VDS的大部分电场被添加到过渡层,将电子拉向漂移方向的电场只有靠近源的一小部分,这使得电流无法流动。


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MOS开关:

MOS最显著的特点是其良好的开关特性,因此被广泛应用于需要电子开关的电路中,如开关电源和电机驱动,以及照明调光。现在对Mo驱动有几个特殊要求。在低压应用中使用5V电源时,如果使用传统的图腾柱结构,三极管的be为0.5,压降约为7V,实际施加到栅极的最终电压仅为4.3v。此时,当我们选择标称栅极电压为4.5V的MOS晶体管时,存在一定的风险。使用3V或其他低压电源时也会出现同样的问题。


FET的功能:

1、 FET可用于放大,由于FET放大器的高输入阻抗,耦合电容可能很小,因此不需要使用电解电容器。

2、FET的高输入阻抗非常适合进行阻抗转换。它通常用于多级放大器的输入级进行阻抗转换。

3、FET可用作可变电阻器。

4、FET可以方便地用作恒流源。

5、FET可用作电子开关。


MOS管故障:

MOS管的源极和漏极可以切换。它们是在p型背栅中形成的n型区域。在大多数情况下,这两个区域是相同的,即使两端切换,设备的性能也不会受到影响。这种装置被认为是对称的。


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